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IRLML2502
1200
1000
800
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
10
8
6
I D = 4.0A
V DS = 10V
600
4
400
200
Coss
2
0
1
Crss
10
100
0
0
4
8
12
16
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
1
T J = 150 ° C
10
10us
100us
1ms
T J = 150 C
0.1
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8      1.0
V GS = 0 V
1.2      1.4
1
T A = 25 ° C
°
Single Pulse
0.1
0.1
1
10
10ms
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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